Dr. Mohammad Doostizadeh دکتر محمد دوستی زاده Journal of New Achievements in Electrical,Computer and Technology نشریه علمی-تخصصی دستاوردهای نوین در برق،کامپیوتر و فناوری The Role of SiC and GaN Semiconductors in Improving the Performance of Power Electronic Converters نقش نیمه هادی های SiC و GaN در بهبود عملکرد مبدل های الکترونیک قدرت FA Zahra Aref Darabi Faculty Member, Electrical Engineering, Islamic Azad University, Darab, Iran زهرا عارف دارابی عضو هیات علمی، مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی، داراب، ایران The growing demand for high-efficiency, high-power-density converters has made wide-bandgap semiconductors one of the main development paths in power electronics. This review analytically examines the characteristics, performance, and applications of silicon carbide and gallium nitride devices in comparison with conventional silicon technology. The reviewed studies indicate that silicon carbide, owing to its high critical electric field, favorable thermal conductivity, and greater maturity at higher voltage ratings, is better suited to high-power converters, traction systems, and energy applications. In contrast, gallium nitride enables faster switching, higher operating frequencies, and reduced passive-component size. Nevertheless, circuit parasitics, electromagnetic interference, thermal management, reliability, and cost may limit the achievable benefits of both technologies. Overall, the appropriate semiconductor technology should be selected according to operating conditions and the converter’s system-level design. گسترش مبدل های پربازده و با چگالی توان بالا، استفاده از نیمه هادی های با گاف نواری پهن را به یکی از مسیرهای اصلی توسعه الکترونیک قدرت تبدیل کرده است. این مقاله با رویکردی مروری ـ تحلیلی، ویژگی ها، عملکرد و کاربردهای ادوات کاربید سیلیسیم و نیترید گالیم را در مقایسه با فناوری سیلیکون بررسی می کند. نتایج مطالعات نشان می دهد که کاربید سیلیسیم به دلیل میدان شکست بالا، هدایت حرارتی مناسب و بلوغ بیشتر در کلاس های ولتاژی بالا، برای مبدل های پرتوان و کاربردهای کشش و انرژی مناسب تر است. در مقابل، نیترید گالیم با قابلیت کلیدزنی سریع، امکان افزایش فرکانس و کاهش حجم اجزای غیرفعال را فراهم می کند. با این حال، پارازیت های مدار، تداخل الکترومغناطیسی، مدیریت حرارتی، قابلیت اطمینان و هزینه می توانند بهره برداری از این مزایا را محدود کنند. در مجموع، انتخاب فناوری مناسب باید بر اساس شرایط کاری و طراحی کل مبدل انجام شود. https://jnaect.ir/downloadfilepdf/2463275