ثبت نام در مجله
مهلت ارسال مقالات

آخرین مهلت ارسال مقالات برای دوره دوم-شماره4 -پاییز 1401:

(15 آذر ماه 1401)

بانک ها و نمایه ها


civilica

56454

tpbin

magiran

jref-fa

Irindexing

Untitled

 

قوانین

قانون بین المللی کپی رایت

 این نشریه تحت قانون بین المللی کپی رایت BY: Creative Commons  می‌باشد.

قوانین کمیتۀ اخلاق در انتشار

این نشریه تابع قوانین کمیتۀ اخلاق در انتشار (COPE) است و از آیین نامه اجرایی قانون پیشگیری و مقابله با تقلب در آثار علمی پیروی می نماید.

open access
دسترسی آزاد به مقالات نشریه
 
DOAJ
 
طراحی مرجع ولتاژ شکاف انرژی ) Bandgap Voltage References ( با اصلاح انحنای. مرتبه دوم در ولتاژهای پایین و در تکنولوژی استاندارد TSMC 0.18μm CMOS
دوره 2، شماره 3، 1401، صفحات 65 - 80
نویسندگان : میثم رضایی پور * 1

1 دانشگاه آزاد اسلامی، واحد علوم و تحقیقات گیلان،

چکیده :
مراجع ولتاژ یک بلوک اساسی در بسیاری از کاربردهای فرکانس رادیویی و mixed-signal ، برای مثال مبدل های داده، PLLها و مبدل های توان می باشد. پراستفاده ترین پیاده سازی CMOS برای مراجع ولتاژ به علت پیش بینی پذیری و وابستگی کم به ولتاژ تغذیه و دمای کاری، مدار شکاف انرژی است. در این مقاله، مراجع ولتاژ شکاف انرژی را مورد بررسی قرار می دهیم. توپولوژی های مربوط که معمولا برای پیاده سازی مراجع ولتاژ شکاف انرژی به کار گرفته می شوند، بحث و بررسی شده اند و محدودیت های این ساختارها مورد بحث قرار گرفته اند. در این مقاله در مورد مراجع ولتاژ شکاف انرژی با اصلاح انحنای مرتبه اول و اصلاح انحنای مرتبه دوم در ولتاژ و توان پایین بحث و بررسی شده است. برای تایید کار ما مراجع ولتاژ شکاف انرژی با استفاده از تکنولوژی استاندارد TSMC 0.18 μm CMOS طراحی شده اند و نتایج شبیه سازی با کارهای پیشین مقایسه گردیده اند.
کلمات کلیدی :
مراجع ولتاژ شکاف انرژی، اصلاح انحنای مرتبه او ، اصلاح انحنای مرتبه دوم