گسترش مبدل های پربازده و با چگالی توان بالا، استفاده از نیمه هادی های با گاف نواری پهن را به یکی از مسیرهای اصلی توسعه الکترونیک قدرت تبدیل کرده است. این مقاله با رویکردی مروری ـ تحلیلی، ویژگی ها، عملکرد و کاربردهای ادوات کاربید سیلیسیم و نیترید گالیم را در مقایسه با فناوری سیلیکون بررسی می کند. نتایج مطالعات نشان می دهد که کاربید سیلیسیم به دلیل میدان شکست بالا، هدایت حرارتی مناسب و بلوغ بیشتر در کلاس های ولتاژی بالا، برای مبدل های پرتوان و کاربردهای کشش و انرژی مناسب تر است. در مقابل، نیترید گالیم با قابلیت کلیدزنی سریع، امکان افزایش فرکانس و کاهش حجم اجزای غیرفعال را فراهم می کند. با این حال، پارازیت های مدار، تداخل الکترومغناطیسی، مدیریت حرارتی، قابلیت اطمینان و هزینه می توانند بهره برداری از این مزایا را محدود کنند. در مجموع، انتخاب فناوری مناسب باید بر اساس شرایط کاری و طراحی کل مبدل انجام شود.

: الکترونیک قدرت کاربید سیلیسیم نیترید گالیم نیمه هادی های با گاف نواری پهن مبدل قدرت چگالی توان قابلیت اطمینان.