دوره 2، شماره 3، 1401، صفحات 65 - 80

نویسندگان : میثم رضایی پور* ¹

چکیده :
مراجع ولتاژ یک بلوک اساسی در بسیاری از کاربردهای فرکانس رادیویی و mixed-signal ، برای مثال مبدل های داده، PLLها و مبدل های توان می باشد. پراستفاده ترین پیاده سازی CMOS برای مراجع ولتاژ به علت پیش بینی پذیری و وابستگی کم به ولتاژ تغذیه و دمای کاری، مدار شکاف انرژی است. در این مقاله، مراجع ولتاژ شکاف انرژی را مورد بررسی قرار می دهیم. توپولوژی های مربوط که معمولا برای پیاده سازی مراجع ولتاژ شکاف انرژی به کار گرفته می شوند، بحث و بررسی شده اند و محدودیت های این ساختارها مورد بحث قرار گرفته اند. در این مقاله در مورد مراجع ولتاژ شکاف انرژی با اصلاح انحنای مرتبه اول و اصلاح انحنای مرتبه دوم در ولتاژ و توان پایین بحث و بررسی شده است. برای تایید کار ما مراجع ولتاژ شکاف انرژی با استفاده از تکنولوژی استاندارد TSMC 0.18 μm CMOS طراحی شده اند و نتایج شبیه سازی با کارهای پیشین مقایسه گردیده اند.

کلمات کلیدی :
مراجع ولتاژ شکاف انرژی، اصلاح انحنای مرتبه او ، اصلاح انحنای مرتبه دوم